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1、《获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法》是上海华虹NEC电子有限公司于2009年5月26日申请的发明专利，该专利申请号为200910057313X，公布号为CN101901767A，专利公布日为2010年12月01日，发明人是肖胜安。
2、2017年12月11日，《获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法》获得第十九届中国专利优秀奖。
3、《获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法》公开了一种获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法，步骤一、在N+基板上进行第一次N型外延成长；步骤二、刻蚀所述N型外延层，在N型外延层上形成一定高宽比的沟槽穿通到N+基板上；步骤三、在所述沟槽中填入P型外延层；步骤四、利用化学机械研磨得到平坦的N型柱子和P型柱子交替出现的结构；步骤五、在步骤四形成的N型柱子和P型柱子交替出现的结构上进行第二次N型外延成长，然后重复实施步骤二至四得到更高P型沟槽高宽比的平坦的N型柱子和P型柱子交替出现的结构，直到N型外延层的厚度达到器件阻挡电压的要求。本发明能够在工艺难度不增大的条件下有效减少P型柱子占比，降低比抵抗电阻。
4、（概述图为《获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法》的摘要附图）
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