开关电源如何根据要求的输出功率选择开关芯片？

根据输出功率（输出电压、输出电流），可以计算出原边峰值电流，再以这个数值的2倍以上选择合适的MOS，再根据这个MOS的G需要的电压、电流，来选择有对应输出能力的开关芯片。

开关管一般选择开关频率高，耐反向冲击的，一般是金封大功率的，三极管有pnp npn两种极性，不可以混用

在ORing FET应用中，MOS管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时 。

相比从事以开关为核心应用的设计人员，ORing FET应用设计人员显然必需关注MOS管的不同特性。以服务器为例，在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，ORing FET应用设计人员最关心的是最小传导损耗。

低RDS(ON) 可把BOM及PCB尺寸降至最小

一般而言，MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗;对ORing FET应用来说，RDS(ON) 也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON) 与栅极 (或驱动) 电压 VGS 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON) 是一个相对静态参数。

若设计人员试图开发尺寸最小、成本最低的电源，低导通阻抗更是加倍的重要。在电源设计中，每个电源常常需要多个ORing MOS管并行工作，需要多个器件来把电流传送给负载。在许多情况下，设计人员必须并联MOS管，以有效降低RDS(ON)。

需谨记，在 DC 电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比如，两个并联的2Ω 电阻相当于一个1Ω的电阻 。因此，一般来说，一个低RDS(ON) 值的MOS管，具备大额定电流，就可以让设计人员把电源中所用MOS管的数目减至最少。

除了RDS(ON)之外，在MOS管的选择过程中还有几个MOS管参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下，设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(SOA)曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，SOA定义了MOSFET能够安全工作的电源电压和电流。在ORing FET应用中，首要问题是：在完全导通状态下FET的电流传送能力。实际上无需SOA曲线也可以获得漏极电流值。

若设计是实现热插拔功能，SOA曲线也许更能发挥作用。在这种情况下，MOS管需要部分导通工作。SOA曲线定义了不同脉冲期间的电流和电压限值。

注意刚刚提到的额定电流，这也是值得考虑的热参数，因为始终导通的MOS管很容易发热。另外，日渐升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。细言之，在实际测量中其代表从器件结(对于一个垂直MOS管，即裸片的上表面附近)到封装外表面的热阻抗，在数据手册中有描述。若采用PowerQFN封装，管壳定义为这个大漏极片的中心。因此，RθJC 定义了裸片与封装系统的热效应。RθJA 定义了从裸片表面到周围环境的热阻抗，而且一般通过一个脚注来标明与PCB设计的关系，包括镀铜的层数和厚度。

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先设计好原理图，完成前仿真，设计好版图，完成后仿真，包括工艺角仿真(这些过程可以用cadence IC或者ADS等软件完成)，就可以送去流片了，可以选择SMIC或者台积电等厂家。

小量流片的费用大概是20至50万元，具体价格视芯片规模和工艺类型而定。一般开关电源ic规模不大，工艺要求也不高，估计十万多元就够了，很便宜。大约需要一个月至几个月的时间，可以获得几十个样片。另外，教育部每年都有免费流片的计划，如果符合条件，可以去申请。

取得样片后，要进行测试，包括各项指标，以及指标的一致性。根据测试的结果确定是否要修改后继续流片，如果测试结果满足要求，就可以批量投产了，批量我没做过，所以不知道价格如何。

问得比较含糊，开关电源分很多种，有桥式的，半桥式的，推挽式的，以及自激式开关电源等等，参数选择各不相同，输出功率也不同，参数选择差异就更大。建议选择开关电源的基础书籍看看。